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致茂Chroma 7940 晶圓檢測(cè)系統(tǒng)

主要特色：

• 可同時(shí)檢測(cè)正反兩面晶圓
• 大可檢測(cè)6吋擴(kuò)膜晶圓(檢測(cè)區(qū)域達(dá)8吋范圍 )
• 可因應(yīng)不同產(chǎn)業(yè)的晶粒更換或新增檢測(cè)項(xiàng)目
• 上片后晶圓自動(dòng)對(duì)位機(jī)制
• 自動(dòng)尋邊功能可適用于不同形狀之晶圓
• 瑕疵規(guī)格編輯器可讓使用者自行編輯檢測(cè)規(guī)格
• 瑕疵檢出率高達(dá)98%
• 可結(jié)合上游測(cè)試機(jī)晶粒資料，合并后上傳至下一道制程設(shè)備
• 提供檢測(cè)報(bào)表編輯器，使用者可自行選擇適用資料并進(jìn)行分析

Chroma 7940晶圓檢測(cè)系統(tǒng)為自動(dòng)化切割后晶粒 檢測(cè)設(shè)備，使用*打光技術(shù)，可以清楚的辨 識(shí)晶粒的外觀瑕疵。結(jié)合不同的光源角度、亮度 及取像模式，使得7940可以適用于LED、雷射二 極體及光敏二極體等產(chǎn)業(yè)。

由于使用高速相機(jī)以及自行開發(fā)之檢測(cè)演算法， 7940可以在3分鐘內(nèi)檢測(cè)完6吋LED晶圓，換算 為單顆處理時(shí)間為15msec。7940同時(shí)也提供了 自動(dòng)對(duì)焦與翹曲補(bǔ)償功能，以克服晶圓薄膜的 翹曲與載盤的水平問題。7940可配置2種不同倍 率，使用者可依晶粒或瑕疵尺寸選擇檢測(cè)倍率。 系統(tǒng)搭配的小解析度為0.5um，一般來(lái)說，可 以檢測(cè)1.5um左右的瑕疵尺寸。

系統(tǒng)功能

在擴(kuò)膜之后，晶粒或晶圓可能會(huì)產(chǎn)生不規(guī)則的 排列，7940也提供了搜尋及排列功能以轉(zhuǎn)正晶 圓。此外，7940擁有人性化的使用介面可降低 學(xué)習(xí)曲線，所有的必要資訊，如晶圓分布，瑕疵 區(qū)域，檢測(cè)參數(shù)及結(jié)果，均可清楚地透過使用者 介面(UI)呈現(xiàn)。

瑕疵資料分析

所有的檢測(cè)結(jié)果均會(huì)被記錄下來(lái)，而不僅只是 良品/不良品的結(jié)果。這有助于找出一組蕞佳參 數(shù)，達(dá)到漏判與誤判的平衡點(diǎn)。提供瑕疵原始原 始資料亦有助于分析瑕疵產(chǎn)生之趨勢(shì)，并回饋給 制程人員進(jìn)行改善。

Applications

LED Top Side Defects
- Pad Defect - Pad Residue - ITO Peeling - Finger Broken Front side image with co-axis light	- Mesa Abnormality - Epi Defect - Chipping - Chip Residue Front side image with ring light
LED Back Side Defects
- Dicing Abnormality - Pad Bump  Back side image with co-axis light	- Chipping - Metal Lack  Back side image with ring light
VCSEL Top Side Defercts
- Pad Defect - Pad Scratch - Emitting Area Defect - Peeling  Front side image with co-axis light	- Mesa Abnormality - Epi Defect - Chipping - Chip Residue Front side image with ring light
VCSEL Back Side Defects
- Dicing Abnormality - Pad Bump  - Chipping - Metal Lack  Back side image with ring light

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